上海納騰儀器有限公司
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型號 | 規(guī)格 |
TGZ系列Z向校準(zhǔn)標(biāo)樣，TGZ1/TGZ2/TGZ3/TGZ4/TGS1，Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn) Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層 周期：3±0.1 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：3x3 mm 可選配：PTB可溯源證書 | |
TGZ1 | 20.0±1.5 nm（Height） |
TGZ2 | 110±2 nm（Height） |
TGZ3 | 520±3 nm（Height） |
TGZ4 | 1517± 20nm（Height） |
TGT1：SPM針尖3-D校準(zhǔn)標(biāo)樣NT-MDT，針尖形狀，曲率半徑校準(zhǔn)，降解/污染檢測 Si 基底 周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：2x2mm | |
TGT1 | 尺寸：角度：50+-10°,半徑：<=10nm，高度：0.3-0.5µm |
TGG1：SPM X，Y方向校準(zhǔn)標(biāo)樣 SPM X、Y方向校準(zhǔn)，掃描器橫向垂直方向非線性檢測，角度畸變檢測，針尖表征 Si 基底 周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：3x3mm | |
TGG1 | 1-D 三角臺階標(biāo)樣，精確的線性，角度 邊緣角度70°，邊緣半徑：≤10nm |
TGX1：SPM橫向校準(zhǔn)，針尖高長徑比 掃描器橫向檢測 橫向非線性、滯后、蠕變和交叉耦合效應(yīng)的檢測 針尖長徑比標(biāo)定 Si 基底 周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：3x3mm | |
TGX1 | 棋盤狀的方柱陣列，具有鋒利的咬邊 高度：～0.6 µm，邊緣半徑：≤10nm |
TipCheck SPM針尖形狀校準(zhǔn)標(biāo)樣，Budgetsensors，針尖形狀，曲率半徑校準(zhǔn)，降解/污染檢測 尺寸：5x5x0.3 mm，有效區(qū)域：中心：5x5mm | |
TipCheck | Tipcheck金字塔納米結(jié)構(gòu) 50-100nm高度，50-100nm底部寬度 最小邊緣：≤5nm |
SHS系列臺階標(biāo)樣：SHS系列臺階標(biāo)樣 Si 基底，多種結(jié)構(gòu)復(fù)合：圓、長條、方形 基底尺寸：8.0x8.2x0.5 mm | |
SHS-01 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，高度：100nm |
SHS-1 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，高度：1000nm |
STEP-OX-0.1 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：100nm |
STEP-OX-0.2 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：100nm |
STEP-OX-0.5 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：500nm |
STEP-OX-1 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：1000nm |
STEP-Si-5 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：Si，高度：5000nm |
STEP-Si-10 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：Si，高度：10000nm |
STEP-Si-25 | 結(jié)構(gòu)材質(zhì)：Si，高度：25000nm |
PA01 SPM針尖形狀校準(zhǔn)標(biāo)樣，針尖形狀，曲率半徑校準(zhǔn)，降解/污染檢測 尺寸：5x5x0.3 mm，有效區(qū)域：中心：5x5mm | |
PA01 | PA 01金字塔納米結(jié)構(gòu) 50-100nm高度，50-100nm底部寬度 最小邊緣：≤5nm |
TGF11 SPM掃描器垂直方向非線性檢測 掃描器垂直方向非線性檢測,橫向力校準(zhǔn)，帶小球硅針尖懸臂校準(zhǔn) 尺寸：5x5x0.3 mm，有效區(qū)域：中心：3x3mm | |
TGF11 | TGF11梯形結(jié)構(gòu)，54.74° 高度：1.75µm，周期：10±0.1 µm |
HS-MG系列標(biāo)樣，HS-20MG/HS-100MG/HS-500MG，Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn)及垂直橫向掃描器校準(zhǔn) Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層，不同結(jié)構(gòu)陣列，周期：5&10µm，尺寸：5x5 mm 圓柱/孔：500 µm x500 µm，線條： 500 µm x500 µm，方柱/孔：1 x1mm | |
HS-20MG | 20 nm（Height） |
HS-100MG | 100 nm（Height） |
HS-500MG | 500 nm（Height） |
CS-20NG系列標(biāo)樣，Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn)及垂直橫向掃描器校準(zhǔn) Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層，不同結(jié)構(gòu)陣列，尺寸：5x5 mm 圓柱/孔：（500nm pitch）100 µm x100 µm，線條：(5 µm pitch) 500 µm x500 µm，方柱/孔：(10µm pitch)1 x1mm | |
CS-20MG | 20 nm（Height） |
TGX：SPM橫向校準(zhǔn)，針尖高長徑比，掃描器橫向檢測，橫向非線性、滯后、蠕變和交叉耦合效應(yīng)的檢測 Si 基底，不同結(jié)構(gòu)陣列，尺寸：5x5 x0.3 mm，邊緣半徑：≤5nm，周期3±0.1 µm | |
TGX | 1µm（Height） |
TGXYZ系列標(biāo)樣：SPM Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn)及垂直橫向掃描器校準(zhǔn) Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層，不同結(jié)構(gòu)陣列，尺寸：5x5x0.3 mm 圓柱/孔：500 µm x500 µm，線條：500 µm x500 µm，方柱/孔：1 x1mm | |
TGXYZ01 | 20.0±2 nm（Height） |
TGXYZ02 | 100±3 nm（Height） |
TGXYZ03 | 500±3 nm（Height） |
TDG01：X、Y方向校準(zhǔn)，掃描器橫向垂直方向非線性檢測，角度畸變檢測，針尖表征 Si 基底，鍍Al，平行脊，尺寸：12.5mm直徑，厚度：2.5mm，有效區(qū)域：9mm直徑 | |
TGX | >55nm（Height） |
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