1756-IG16

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東芝開發(fā)出了用于超低功耗MCU的新型晶體管技術，可將MCU的耗電量降至1/10以下，而且能夠利用與現(xiàn)行標準晶體管（MOSFET）相同的CMOS工藝制造。東芝計劃2017年投產(chǎn)配備該技術的MCU。設想的用途包括電池驅(qū)動型移動產(chǎn)品、可穿戴終端和傳感器網(wǎng)絡終端等。

　　在2014年9月8～11日舉行的半導體器件技術會議“SSDM（International conference on Solid State Devices and Materials）2014”（茨城縣筑波市）上，東芝發(fā)表了三篇與上述技術有關的論文。

　　工作電壓降至0.5V以下

　　東芝開發(fā)的是名為隧道FET（Tunnel FET：TFET）的場效應晶體管。這是一種利用電子的能帶間隧道現(xiàn)象控制開/關的晶體管，可通過使MOSFET的源極和漏極的導電型半導體（p或n）互補來實現(xiàn)。

　　TFET的特點是，與MOSFET相比能獲得更為陡峭的開/關特性。MOSFET受電子的熱擴散影響，表示開/關特性上升陡峭度的S因子只能減至約60mV/dec，而TFET能獲得低于60mV/dec的非常小的S因子。

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