1756-IV16
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提高作為T(mén)FET缺點(diǎn)的導(dǎo)通電流
?。?）是利用硅的外延生長(zhǎng)，能以自對(duì)準(zhǔn)工藝形成開(kāi)/關(guān)特性出色的陡峭隧道結(jié)。形成隧道結(jié)時(shí)，在源極與溝道之間設(shè)置了防止源極中的添加雜質(zhì)（B）擴(kuò)散的 C（碳）摻雜層，還在溝道中添加P（磷）以降低閾值電壓。通過(guò)這些措施，這種TFET的導(dǎo)通電流較以往的硅材料TFET提高了約一位數(shù)，還降低了工藝偏差。
利用硅的外延生長(zhǎng) ）
導(dǎo)通電流大，工藝偏差小
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：歐工
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